HBM短缺, 将延续至2027年

HBM正推动DRAM行业进入5年上行周期。

近日，摩根大通发布内存市场研究报告，称HBM市场供需紧张将持续至2027年，在供需紧张、技术迭代与AI需求共振下，该市场还将持续扩容。尽管短期存在认证延迟、产能爬坡等扰动，长期看HBM仍是DRAM行业增长的核心引擎。

摩根大通预测，今年HBM市场短缺情况将持续，2026-2027年供应过剩情况将逐步缓解，渠道库存预计增加1-2周，处于健康水平。其中，HBM4供应量2026年预计将大幅提升，预计占比30%。2027年HBM4与HBM4E合计将占总供应量的超70%。

当前，三星HBM认证延迟叠加英伟达Rubin GPU带来的强劲需求增长，是供需紧张的主因。随着HBM向未来几代产品HBM4E/HBM5迭代，预计2026年市场规模将同比增长超70%，占DRAM市场规模的45%。而到了2027年，Vera Rubin GPU将成为主要增长动力。

2024-2027年，ASIC、英伟达、AMD复合年增长率将超50%，其中英伟达在2025-2027年占比超60%，预计将主导整体需求增长。在ASIC领域，预计谷歌TPU将成为主要驱动力，到2027年，其在ASIC总需求中的占比超50%。

在摩根大通看来，主权AI需求或将成为市场的关键新变量。主权人工智能需求正成为主要的结构性推动力，各国都在竞相打造国家人工智能基础设施，以保障数据主权与安全。例如，沙特计划投资100亿美元采购1.8万颗英伟达Blackwell GPU，韩国推出100万亿韩元主权AI计划以确保5万颗GPU，英国、法国等国也在推进国家级AI算力基础设施建设。这类需求正从超大规模云服务提供商向主权市场扩散，进一步强化HBM的增长逻辑。

在产品定价方面，由于逻辑芯片成本和目标毛利率不同，HBM4定价也会有所不同。考虑到更高的芯片损耗（高端产品的逻辑芯片毛利率曲线可能与低端产品相似，即毛利率较低），摩根大通预计HBM4较HBM3E12Hi会有30-40%的价格溢价，以此弥补成本。

除了规格升级以及主流封装方案差异之外，逻辑芯片采购策略是内存制造商HBM4产品策略的关键差异化点。内存制造商正针对关键客户，通过不同策略平衡成本与收益。据估算，4nm逻辑芯片晶圆成本约13-14k美元/片，12nm约9-10k美元/片，每个逻辑芯片成本100-140美元，单颗Rubin GPU系统成本1000-1400美元。

在市场方面，由于三星的HBM认证延迟，摩根大通预计三星在HBM市场的份额将出现下滑，且美光正在中国台湾和新加坡积极扩大产能，在2027年前，这部分份额大概率会被美光抢占。

美光2025财年第三财季业绩显示，其HBM营收环比增长50%，季度营收运行率达15亿美元。此外，预计在8月所在财季，美光的12Hi产品将实现bit crossover（指产品产量等达到关键节点），这可能在短期内支撑其相较于三星更高的营收-产能转化趋势。

而SK海力士由于有效产能建设速度慢于三星和美光，摩根大通预测SK海力士的营收份额会小幅下降，且美光的市场份额增幅将超过同行。在HBM4第六代产品方面，SK海力士的市场份额仍将保持领先，达到60%或更高。HBM4bit crossover预计在2026年第四财季实现，而HBM3E12Hibit 在2025年第二财季，且Rubin GPU需求增加可能带来额外利好。

HBM正推动DRAM行业进入5年上行周期，2024年占DRAM营收19%，2030年预计占比56%。2025-2030年DRAM均价(ASP)复合年增长率3%，高于历史周期，主要由HBM销售占比提升驱动。三大厂商DRAM资本开支持续增长，2025年侧重基础设施，2026年后设备开支随产能加速上升。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。

想要获取半导体产业的前沿洞见、技术速递、趋势解析，关注我们！