韩美半导体董事长郭东信: HBM 4/5 内存导入混合键合犹杀鸡用牛刀

IT之家7月16日消息，韩国半导体设备企业韩美半导体(HANMISemiconductor)董事长郭东信当地时间昨日表示，在HBM4/5世代就为HBM内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀，并无必要。

韩美半导体是全球第一大HBM内存TC（热压缩）键合机台供应商。根据郭东信的说法，最近两年由该企业设备实施键合步骤的HBM堆栈占到英伟达HBM3E内存整体供应量的九成。

郭东信表示，一台混合键合设备的价格就要超过100亿韩元（IT之家注：现汇率约合5190万元人民币），是传统TC键合机的两倍以上；此外JEDEC制定的HBM4规范将堆栈高度要求放宽到了775μm，没有必要通过无凸块的混合键合进一步降低DRAMDie间距，TC键合机足以满足HBM4乃至HBM5的工艺需求。

韩美半导体计划今年推出无助焊剂(Fluxless)类型的HBM键合设备，瞄准HBM6内存需求的混合键合机则目标在2027年推出。