HBM4产品将溢价超过30%

HBM价格谈判的关键在于成本波动。

预计HBM4（第六代HBM）的成本将比上一代产品大幅上涨，因此溢价幅度将在30%至40%左右。

HBM最底层的逻辑芯片和堆叠在其上的DRAM核心芯片价格都将上涨。

考虑到HBM4更注重提升速度、带宽等性能和特性，而非增加容量本身，因此与上一代产品相比，硅通孔（TSV Via）的大幅增加是不可避免的，预计硅通孔将比HBM3E（第五代HBM）扩大300%以上。

TSV数量的快速增加，意味着对重新布线、微凸块、电源和接地的要求也随之增加，这需要显著增加金属层数。

除三星电子外，前端技术节点仍将维持在1b（第五代），因此核心芯片面积增加带来的损失是不可避免的。

在12层HBM4中，逻辑芯片的应用和外部代工厂的利用率各不相同，为了提高能效，逻辑芯片比采用存储器工艺的基座芯片更有可能被利用。

在这种情况下，HBM公司的成本将不可避免地迅速上升，因为它将从存储器工艺成本转变为外部代工厂的工艺销售价格。

由于通过采用代工厂的逻辑芯片，基座芯片的产能用于核心芯片的生产，因此产能可以扩大约1/13，部分抵消成本增加的因素。

就附加值而言，综合判断，由于核心芯片比现有的基座芯片更高，成本增加的抵消因素将超过1/13。

核心芯片预计成本将增加22%。由于每个芯片面积增加而导致晶圆上生产的芯片数量减少。

由于HBM工艺难度的快速上升导致良率下降，以及HBM4预期溢价较高，预计将继续成为HBM和先进工艺的供应制约因素，紧张的供应状况将持续下去。